特許

J-GLOBAL ID：200903078874535430

面発光レーザおよびその製造方法

発明者： 竹ノ内 弘和 ,  舘野 功太 ,  黒川 隆志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029155
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223841
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 電流狭窄層および電極引き出し構造とを有する面発光レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体上のアルミニウム(Al)を含む半導体層を途中まで選択酸化することによって電流狭窄構造を導入した面発光レーザにおいて、上記アルミニウム(Al)を含む半導体層を選択酸化によって完全に酸化して形成した電極引き出し構造を有することにより、電流狭窄を行うレーザ部分は完全に酸化させず、電極引き出し部(1-2)のみを完全に酸化させることで、面発光レーザにおいて効率的な電極狭窄構造と電極引き出し構造を同時にかつ簡便に作製することができる。

請求項（抜粋）：

半導体上のアルミニウム(Al)を含む半導体層を途中まで選択酸化することによって電流狭窄構造を導入した面発光レーザにおいて、上記アルミニウム(Al)を含む半導体層を選択酸化によって完全に酸化して形成した電極引き出し構造を有することを特徴とする面発光レーザ。