特許
J-GLOBAL ID：200903078881023401
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012600
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213942
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 ポリシリコン膜とともにゲート電極を構成するWSix 膜中のフッ素濃度を少なくすることなく、WSix 膜形成後のフッ素原子の拡散によるゲート絶縁膜の膜厚増を抑え、絶縁破壊耐圧等の信頼性の悪化を防止できる半導体装置を実現する。【解決手段】 ポリシリコン膜3およびWSix 膜4をゲート電極とするMOSトランジスタであり、ゲート絶縁膜2が、窒素を1%以上導入したシリコン酸化膜からなることを特徴とする。WSix 膜4中にフッ素が存在し、WSix 膜4形成後のMOSトランジスタ形成工程中の熱処理によって、WSix 膜4中に存在するF原子は、ポリシリコン膜3中を拡散し、ゲート絶縁膜2に達する。ゲート絶縁膜2には窒素が1%以上存在し、シリコンや酸素原子のボンドと強く結合しているため、F原子との置換が抑制されて、ゲート絶縁膜2の膜厚増加を抑え、ゲート絶縁膜2の絶縁耐圧等の信頼性も悪化しない。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して形成したポリシリコン膜と、その上に形成したフッ素を含有するWSix 膜とからなるゲート電極を有する半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜は窒素を含有したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 S
