特許

J-GLOBAL ID：200903078884406999

電界効果型有機トランジスタ及びその製造方法

発明者： 中村 真一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-232382
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049775
出願日： 2004年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 オンオフ比が改善され、閾値電圧が低く、有機半導体の高度な精製法を必要としない為に低コストの電界効果型有機トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース電極14、ドレイン電極15、ゲート電極12、ゲート絶縁層13及び有機半導体層16を有する電界効果型有機トランジスタであって、該有機半導体層16にチャネルを形成する領域から不純物を排除する不純物排除部材18が配置される電界効果型有機トランジスタ。不純物排除部材が有機半導体層の中に又は有機半導体層に接して配置されている。不純物排除部材は導電性を有する部材で、ソース電極あるいはドレイン電極と同じ部材であることが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層及び有機半導体層を有する電界効果型有機トランジスタであって、該有機半導体層にチャネルを形成する領域から不純物を排除する不純物排除部材が配置されることを特徴とする電界効果型有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627Z ,  H01L29/28

Fターム (41件)：

5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-223020   出願人：三菱化学株式会社
• 有機半導体材料及びそれを用いる薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-243458   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社