特許

J-GLOBAL ID：200903078885196149

半導体装置の自動測長方法

発明者： 勝野 嘉章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177623
公開番号（公開出願番号）：特開2001-004328
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 自動測長ファイル作成時間を短縮し、かつ自動測長の精度を向上させるようにした、測長SEMによる半導体装置の自動測長方法を提供する。【解決手段】 本自動測長方法では、測長対象ウエハ上に複数個、例えば5個の第1から第5のサンプリング露光ショット領域を設定する。次いで、ウエハのアライメントを行い、サンプリング露光ショット領域に移動し、アドレシングポイント及び測長点の像質レベル値及び測長結果を求める。第1から第5の領域の像質レベル値と測長結果の平均値を求め、平均値から像質レベルの規格値と測長カーソルの位置等のパラメータ値の最適化を行い、再度、パラメータ値を設定する。次いで、測長対象露光ショット領域に移動し、最適化したパラメータ値を用いてアドレッシングを行う。次いで、最適化したパラメータ値を用いて、測長点の検出を行い、最適化された位置に測長カーソルを表示させ、測長点の自動測長を行う。

請求項（抜粋）：

ウエハ上に形成された半導体装置パターンの寸法を測長用走査型電子顕微鏡によって自動的に測長する方法であって、測長対象ウエハ毎に予め設定したサンプリング露光ショット領域でアドレッシングし、かつ測長して、アドレッシングポイント及び測長点のそれぞれの像質レベルの規格値、並びに表示画面上の測長カーソル位置を少なくとも含むパラメータ値を最適化する工程と、最適化したパラメータ値を用いて、測長対象露光ショット領域でアドレッシングを行う工程と、測長対象露光ショット領域の測長点を検出し、測長点を測長する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の自動測長方法。

IPC (3件)：

G01B 11/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01B 11/00 H ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/30 516 Z

Fターム (28件)：

2F065AA21 ,  2F065BB02 ,  2F065BB03 ,  2F065BB27 ,  2F065CC19 ,  2F065DD06 ,  2F065FF04 ,  2F065FF27 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ09 ,  2F065MM11 ,  2F065NN20 ,  2F065PP12 ,  2F065PP24 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ35 ,  2F065QQ42 ,  2F065SS02 ,  2F065SS13 ,  2F065TT02 ,  4M106AA01 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DB20 ,  5F046DA30 ,  5F046DD06 ,  5F046FC03