特許

J-GLOBAL ID：200903078887178377

半導体装置の製造方法

発明者： 松田 正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393723
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197633
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 製造効率を低下させることなく低オン電圧特性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1の裏面側の素子形成を行う工程と、前記半導体基板1の裏面と保持基板4と接着する工程と、前記半導体基板1を表面より薄化する工程と、前記半導体基板1の表面側の素子形成を行なう工程と、前記保持基板4を除去する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板の裏面側の素子形成を行う工程と、前記半導体基板の裏面と保持基板と接着する工程と、前記半導体基板を表面より薄化する工程と、前記半導体基板の表面側の素子形成を行なう工程と、前記保持基板を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655

FI (5件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 658 K ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 B