特許

J-GLOBAL ID：200903078900124648

半導体装置の製造方法

発明者： 美舩 章人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205630
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069994
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属シリサイド膜を成膜する際の下地基板の前処理方法に関し、弗酸系の水溶液やガスを用いずに自然酸化膜を除去し、また、弗素の含有量の少ない高融点金属シリサイド膜を成膜することにより、デバイスの信頼性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ウェーハ12上にタングステンシリサイド膜34を成膜する半導体装置の製造方法において、タングステンシリサイド膜34を成膜する前に、ウェーハ12を水素プラズマ28に曝し、ウェーハ12上に成長した自然酸化膜を除去する。

請求項（抜粋）：

下地基板上に高融点金属シリサイド膜を成膜する半導体装置の製造方法において、前記高融点金属シリサイド膜又はその材料をなす膜の成膜前に、前記下地基板を水素のプラズマに曝し、前記下地基板上に成長した自然酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 Q