特許

J-GLOBAL ID：200903078900505552

超臨界流体抽出によるシリコーン含有化合物の精製

発明者： マハデバン・シブクマー ,  モロック・フランク・エフ ,  ワード・ロバート・エス ,  ティアン・ユアン ,  ワング・シャンガー ,  サーピリオ・ジェイムス・エム・ジュニア
出願人/特許権者： ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 田澤 博昭 ,  加藤 公延 ,  田澤 英昭 ,  濱田 初音
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-538270
公開番号（公開出願番号）：特表2007-509964
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】 シリコーン含有化合物のための効率のよい精製方法を解決すること。【解決手段】 本発明は超臨界流体抽出によってシリコーン含有化合物の精製するための方法に関する。具体的には、少なくとも1種のシリコーン含有化合物を、約0.2〜約0.8g/mLの間の密度を有する超臨界流体と接触させる工程と、前記の少なくとも1種のシリコーン含有化合物を含有する第1の相と少なくとも1種の不純物を含有する第2の相との2つの相が形成されるように、前記密度を減少させる工程と、前記第2の相を前記第1の相から分離する工程と、を含む、方法に関する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

少なくとも1種のシリコーン含有化合物を、0.2〜1g/mLの間の密度を有する超臨界流体と接触させる工程と、 前記の少なくとも1種のシリコーン含有化合物を含有する第1の相と少なくとも1種の不純物を含有する第2の相との2つの相が形成されるように、前記密度を減少させる工程と、 前記第2の相を前記第1の相から分離する工程と、 を含む、方法。

IPC (2件)：

C07F 7/20 ,  C07F 7/18

FI (2件)：

C07F7/20 ,  C07F7/18 X

Fターム (14件)：

4H049VN01 ,  4H049VP03 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ03 ,  4H049VQ17 ,  4H049VQ19 ,  4H049VQ30 ,  4H049VQ78 ,  4H049VR21 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VR43 ,  4H049VU29 ,  4H049VV19