特許
J-GLOBAL ID：200903078900711233
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181235
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026727
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 データ読み出し時に、センスアンプの読み出しマージンの劣化を防止し、信頼性を高めた不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 浮遊ゲートを有するMOSトランジスタからなるメモリセルと、データ読み出し時に、メモリセルから出力される読み出し電圧と所定の基準電圧とを比較し、メモリセルに記録されたデータを再生するセンスアンプと、メモリセルと同一構造のリファレンスセル、及びリファレンスセルに印加するリファレンスセル制御電圧を発生するリファレンスセル制御電圧発生回路を備え、リファレンスセルの出力から基準電圧を発生するリファレンス電圧発生回路とを有する不揮発性半導体メモリにおいて、リファレンスセルの浮遊ゲート及び制御ゲートを短絡した構成とする。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートを有するMOSトランジスタからなるメモリセルと、データ読み出し時に、前記メモリセルから出力される読み出し電圧と所定の基準電圧とを比較し、前記メモリセルに記録されたデータを再生するセンスアンプと、前記メモリセルと同一構造のリファレンスセル、及び前記リファレンスセルに印加するリファレンスセル制御電圧を発生するリファレンスセル制御電圧発生回路を備え、前記リファレンスセルの出力から前記基準電圧を発生するリファレンス電圧発生回路と、を有する不揮発性半導体メモリにおいて、前記リファレンスセルの浮遊ゲート及び制御ゲートが短絡されていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (5件)：
H01L 27/115
, G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 634 E
, H01L 29/78 371
