特許
J-GLOBAL ID：200903078902265010
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-097199
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297941
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタの温度上昇時の熱暴走を抑止する。【解決手段】 開示される半導体装置は、化合物半導体からなるFET1のゲートバイアス回路において、少なくともFET1のゲート端子Gとゲートバイアス供給電源Vggとの間に、ゲート端子Gに接続される第1の導電性コンタクト層16と、ゲートバイアス供給電源Vggに接続される第2の導電性コンタクト層17と、これらの導電性コンタクト層間に介在する半絶縁性の半導体層15とから形成されたNIN素子からなる抵抗を有するように構成される。
請求項（抜粋）：
トランジスタにバイアスをかけるためのバイアス回路を備える半導体装置において、少なくとも前記トランジスタのゲート又はベース端子と外部電源との間に、該ゲート又はベース端子に接続される第1の導電性コンタクト層と、外部電源に接続される第2の導電性コンタクト層と、両導電性コンタクト層間に介在する半絶縁性の半導体層とからなる2端子素子を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/06
, H01L 27/095
, H03F 1/30
, H03F 3/16
H01L 27/06 101 P
, H03F 1/30 A
, H03F 3/16 Z
, H01L 27/06 311 A
, H01L 29/80 E
