特許

J-GLOBAL ID：200903078904434242

半導体単結晶シリコンの製造方法

発明者： 二宮 正晴
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-134355
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312683
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 重金属等の汚染を伴うことなく、成長軸方向にカーボン濃度の偏析のバラツキ幅を低減した単結晶シリコンインゴットを得ることが可能な半導体単結晶シリコンの製造方法の提供。【解決手段】 チョクラルスキー法にてCドープした単結晶シリコンを製造する際に、高純度カーボンをシリコン製のカプセル状容器に計量して投入する、ウェーハにカーボンを気相成膜して投入する、ウェーハにカーボン粒子を含む有機溶剤を塗布しベーキングして投入する、カーボンを所定量含有させた多結晶シリコンを投入することにより、結晶のIG効果を向上させる不純物として必要なカーボンを単結晶中に狙い通りの濃度で添加することが可能。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法にてCドープした単結晶シリコンを製造する方法において、高純度カーボン粉末をシリコン製のカプセル状容器に計量投入し、カプセル容器をるつぼへ投入する半導体単結晶シリコンの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502 A