薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-260311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103061
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】工程数を増やすことなく、活性領域への微量の不純物のドーピングを制御性良く行うことを可能とする薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に形成された非結晶シリコン層を溶解して結晶化する工程により得た多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタの製造方法であって、前記結晶化工程前に、リンまたは硼素を含む液体で前記非結晶シリコン層の表面を処理する工程を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非結晶シリコン層を溶解して結晶化する工程により得た多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタの製造方法であって、前記結晶化工程前に、リンまたは硼素を含む液体で前記非結晶シリコン層の表面を処理する工程を具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 618 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

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