特許

J-GLOBAL ID：200903078906233287

HgCdTe半導体装置及びその製造方法

発明者： 須藤 元 ,  藤原 康治 ,  有永 健児
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209525
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056197
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 HgCdTe半導体装置及びその製造方法に関し、チャネル・ストップを簡単な構造及び製造工程によって、再現性良く形成する。【解決手段】 p型HgCdTe層1に複数のn型領域2を設けてフォトダイオードアレイを形成すると共に、このn型領域2の間の被覆膜6とp型HgCdTe層1との間に、負の固定電荷を有する処理層4を設け、この負の固定電荷を有する処理層4の直下にp+ 型領域5を誘起させる。

請求項（抜粋）：

p型HgCdTe層に複数のn型領域を設けてフォトダイオードアレイを形成すると共に、前記n型領域の間の被覆膜と前記p型HgCdTe層との間に、負の固定電荷を有する処理層を設け、前記負の固定電荷を有する処理層の直下にp+ 型領域を誘起させたことを特徴とするHgCdTe半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/0264

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/08 N