特許
J-GLOBAL ID:200903078912471513

パタ-ン発生方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-040408
公開番号(公開出願番号):特開2000-058440
出願日: 1989年02月28日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ形成パターンの生成に、低アドレス解像度のプリンティングシステムを使用して、高アドレス解像度のパターンを発生すること。【解決手段】低アドレス解像度プリンティングシステムは、各低アドレス解像度データベースを重ね合わせをしてプリントし、高アドレス解像度プリントパターンを生成する。第1の光適用量の副射エネルギーを生ずる光源によって、基板を、前記光源の第1論理パス中において第1組の画素位置で、露光させる工程を備え、さらに、第2の光適用量の副射エネルギーを生ずる光源によって、前記基板を、前記光源の第2論理パス中において前記第1組の画素位置で、露光させる工程を備えている。
請求項(抜粋):
高アドレス解像度のデータベースと低アドレス解像度のプリンティングシステムを使用して、幾何学的物体を表現するラスタ化されたパターンを発生するための方法であって:第1の光適用量の副射エネルギーを生ずる光源によって、基板を、前記光源の第1論理パス中において第1組の画素位置で、露光させる工程を備え;第2の光適用量の副射エネルギーを生ずる光源によって、前記基板を、前記光源の第2論理パス中において前記第1組の画素位置で、露光させる工程を備えていることを特徴とするラスタ化されたパターンを発生させるパターン発生方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  B41J 2/44 ,  H04N 1/387 101
FI (4件):
H01L 21/30 529 ,  H04N 1/387 101 ,  B41J 3/00 Q ,  H01L 21/30 502 D

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