特許
J-GLOBAL ID：200903078914259830
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332536
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193165
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置1のボンディングワイヤ7間の短絡を防止する。【構成】 ベース部材2の凹部3内に形成された配線4と前記ベース部材2の凹部3内に塔載された半導体ペレット6の外部端子とがボンディングワイヤ7を介して電気的に接続され、前記ベース部材2の凹部3内に前記半導体ペレット6を被覆するゲル状の樹脂8が充填され、前記ベース部材2にこのベース部材2の凹部3上を覆うキャップ10が固着された半導体装置において、前記半導体ペレット6の角部と前記ベース部材2の凹部3の側壁面との間の間隙aを、前記半導体ペレット6の辺と前記ベース部材2の凹部3の側壁面との間の間隙bに比べて小さく構成する。
請求項（抜粋）：
ベース部材の凹部内に形成された配線と前記ベース部材の凹部内に塔載された半導体ペレットの外部端子とがボンディングワイヤを介して電気的に接続され、前記ベース部材の凹部内に前記半導体ペレットを被覆するゲル状の樹脂が充填され、前記ベース部材にこのベース部材の凹部上を覆うキャップが固着された半導体装置において、前記半導体ペレットの角部と前記ベース部材の凹部の側壁面との間の間隙が、前記半導体ペレットの辺と前記ベース部材の凹部の側壁面との間の間隙に比べて小さく構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 W
, H01L 23/12 P
, H01L 23/12 J
