特許
J-GLOBAL ID：200903078914291695
立方晶窒化ほう素薄膜の製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146610
公開番号（公開出願番号）：特開平8-144049
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：
【要約】【構成】 窒素、不活性ガスまたはこれらの2種以上の混合ガスを準安定状態に励起したラジカルビームを照射して基板表面を清浄化・活性化する工程と、窒素イオンビームの照射と金属ほう素の真空蒸着を同時にまたは交互に行い、かつ同時に光励起のためのフォトンを照射して基板界面層を形成する工程と、窒素イオンビームまたは窒素ラジカルビームのいずれか一方の照射と金属ほう素の真空蒸着とともに光励起のためのフォトンを同時に照射する工程を連続して行う。【効果】 基板界面での良好な結晶の成長を可能とし、高性能、高品質な成膜を可能とする。
請求項（抜粋）：
窒素、不活性ガスまたはこれらの2種以上の混合ガスを準安定状態に励起したラジカルビームを照射して基板表面を清浄化・活性化する工程(A)と、窒素イオンビームの照射と金属ほう素の真空蒸着を同時にまたは交互に行い、かつ同時に光励起のためのフォトンを照射して基板界面層を形成する工程(B)と、窒素イオンビームまたは窒素ラジカルビームのいずれか一方の照射と金属ほう素の真空蒸着を光励起のためのフォトンの照射と同時に行う工程(C)とからなることを特徴とする立方晶窒化ほう素薄膜の製造法。
IPC (2件)：
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