特許
J-GLOBAL ID：200903078917369245
CVDダイヤモンド層
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206397
公開番号（公開出願番号）：特開平10-146703
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 CVDダイヤモンド層を提供すること。【解決手段】 研磨工具へのインサートとして用いるためのCVDダイヤモンド層であって、(i)層が少なくとも0.05原子%の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること;及び(ii)長さ18mm、幅2mm及び厚さ1.4mm以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも600MPaの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも300MPaの平均引張り破断強度を特徴とするCVDダイヤモンド層。
請求項（抜粋）：
研磨工具へのインサートとして用いるためのCVDダイヤモンド層であって、(i)層が少なくとも0.05原子%の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること;及び(ii)長さ18mm、幅2mm及び厚さ1.4mm以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも600MPaの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも300MPaの平均引張り破断強度を特徴とするCVDダイヤモンド層。
IPC (4件)：
B23B 27/14
, B23P 15/28
, C23C 16/26
, C30B 29/04
B23B 27/14 A
, B23P 15/28 A
, C23C 16/26
, C30B 29/04 X
