特許
J-GLOBAL ID:200903078917369245

CVDダイヤモンド層

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-206397
公開番号(公開出願番号):特開平10-146703
出願日: 1997年07月31日
公開日(公表日): 1998年06月02日
要約:
【要約】【課題】 CVDダイヤモンド層を提供すること。【解決手段】 研磨工具へのインサートとして用いるためのCVDダイヤモンド層であって、(i)層が少なくとも0.05原子%の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること;及び(ii)長さ18mm、幅2mm及び厚さ1.4mm以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも600MPaの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも300MPaの平均引張り破断強度を特徴とするCVDダイヤモンド層。
請求項(抜粋):
研磨工具へのインサートとして用いるためのCVDダイヤモンド層であって、(i)層が少なくとも0.05原子%の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること;及び(ii)長さ18mm、幅2mm及び厚さ1.4mm以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも600MPaの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも300MPaの平均引張り破断強度を特徴とするCVDダイヤモンド層。
IPC (4件):
B23B 27/14 ,  B23P 15/28 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04
FI (4件):
B23B 27/14 A ,  B23P 15/28 A ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 X
引用特許:
審査官引用 (14件)
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