薄膜触覚センサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：村井卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233902
公開番号（公開出願番号）：特開2002-048607
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】従来、歪と同時に温度を正しく検知可能とする工夫がなされている触覚センサは提案されていない。又、従来の歪及び温度を同時に検知するセンサは、感度が悪い、誤差が大きい、補償回路を必要とするの問題があった。本発明は、高感度で誤差が少なく、補償回路を必要とせずに、歪及び温度を同時に検知可能とする薄膜触覚センサを、義手・義足、ロボット、マニピュレータ、体内挿入型医療器具及び人口皮膚等に提供する。【解決手段】温度感度が大きく歪感度(又は圧力感度)が小さい温度検知用薄膜、及び歪感度(又は圧力感度)が大きく温度感度が小さい歪検知用薄膜という、大きく異なる特徴を持つ二つの薄膜抵抗体を、並列構造あるいは積層構造をなして構成することにより、補償回路を用いずに温度及び歪(又は圧力)を同時に提供することが可能な薄膜触覚センサを提供することができる。

請求項（抜粋）：

導電性基板に形成された絶縁膜又は絶縁性基板上に、原子量比にて鉄10〜70%及び残部パラジウムと少量の不純物からなる温度検知材料薄膜と、窒素0〜40%及び残部クロムと少量の不純物からなり、その結晶構造がbcc構造のみからなるかもしくはbcc構造とA15型構造の両者からなる歪検知材料薄膜とを配列成膜するか、あるいは中間に絶縁膜を介して積層成膜してなる複合素子を含んでなり、温度及び接触圧力を同時に検知することを特徴とする薄膜触覚センサ。

IPC (5件)：

G01D 21/02 , B81B 3/00 , G01D 3/028 , G01L 1/16 , H01L 29/84

FI (6件)：

G01D 21/02 , B81B 3/00 , G01L 1/16 A , G01L 1/16 B , H01L 29/84 Z , G01D 3/04 D

Fターム (10件)：

2F075AA03 , 2F076BB01 , 2F076BD01 , 2F076BD07 , 2F076BD10 , 2F076BD11 , 2F076BE09 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112EA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-238417
電気抵抗薄膜及びその製造法並びにセンサデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-370342 出願人：財団法人電気磁気材料研究所
Cr-N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-108039 出願人：財団法人電気磁気材料研究所

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