特許
J-GLOBAL ID:200903078922919180

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-271017
公開番号(公開出願番号):特開平5-109963
出願日: 1991年10月18日
公開日(公表日): 1993年04月30日
要約:
【要約】【目的】 樹脂注入時のアイランドのシフトを防止する。【構成】 2はサブランナー、3はサブランナー2からの樹脂をキャビティー4に注入する樹脂注入口、6は半導体素子5を搭載するアイランドである。そして、アイランド6の先端は、アイランド6の下側の樹脂厚4bよりも大なる半導体素子5の上側の樹脂厚4a側に折曲げられ樹脂分配部9を形成している。
請求項(抜粋):
アイランドとこのアイランドの周辺に配設された複数のインナーリードを有するリードフレームと、前記アイランド上に搭載された半導体素子と、この半導体素子と前記インナーリードとを接続する金属細線とからなる半導体装置を樹脂注入口からの樹脂注入によりキャビティー内で樹脂モールドする半導体装置において、上下の樹脂厚に対応して前記樹脂注入口側の前記アイランドの先端を上下の樹脂厚の厚い方に折曲げて樹脂分配部を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/28

前のページに戻る