特許
J-GLOBAL ID:200903078926739322
半導体装置のボンディング方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-030662
公開番号(公開出願番号):特開平7-240441
出願日: 1994年02月28日
公開日(公表日): 1995年09月12日
要約:
【要約】【目的】半導体基板1上のボンディングパッドまたはバンプ2へリード3をボンディングする際のリード3の強度低下を抑えること等により、後工程のリード断線の発生等を防止する。【構成】半導体基板1上に形成されたバンプ2とそれに対応するようにフィルムキャリヤ上に形成されたリード3とを位置決めて、続いて押圧面の外形がおおむね前記バンプ2の外端と一致し、かつ前記バンプ2の中央部付近に対する位置まで凹状の段差寸法Tを設けたボンディングツール4を加熱した後、ボンディング4にて前記リード3の上方より、前記リード3及び前記バンプ2とを押圧し、接合を行う。これにより、バンプ2のエッヂ上部のリード3への応力発生や肉厚の薄化等を抑え、リード強度の低下を防止する。
請求項(抜粋):
半導体基板の主表面上に設けられたパッドまたはバンプにリードを熱圧着する際に、前記リードのうち先端部分をこの先端部分に続く部分よりも大きく押圧変形させることを特徴とする半導体装置のボンディング方法。
IPC (2件):
H01L 21/603
, H01L 21/60 311
引用特許:
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