特許

J-GLOBAL ID：200903078928112793

製膜装置の基板加熱装置

発明者： 西田 聖一 ,  重水 哲郎
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 藤田 考晴 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010407
公開番号（公開出願番号）：特開2003-213430
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 熱変形により密着性の低下を解消して膜質及び膜厚分布を均一化することができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 保持板9によって基板2が保持された状態では、各発熱部13aは基板2の表面から押されて密着手段14を圧縮している。基板2の中央部が外側に熱変形すると、密着手段14によって発熱部13aが押されて、基板2の熱変形に応じて接触面13cが基板2と密着する。発熱部13a毎に設置された温度検出手段によって加熱温度が測定されると、温度制御器がこの測定結果に基づいて各ヒータに流れる電流値を調整して、発熱部13a毎に加熱温度が制御される。その結果、基板2の温度分布のばらつきが所定の範囲内に制御されて、基板2の温度分布が略均一に調整される。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜を形成するためにこの基板を加熱する製膜装置の基板加熱装置であって、前記基板を加熱する加熱手段と、前記基板と前記加熱手段との間に熱変形によって隙間が発生したときに、この基板とこの加熱手段とを密着させる密着手段と、を備える製膜装置の基板加熱装置。

IPC (3件)：

C23C 16/46 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/46 ,  C23C 14/50 E ,  H01L 21/205

Fターム (14件)：

4K029AA24 ,  4K029DA08 ,  4K029EA08 ,  4K030CA12 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045DP02 ,  5F045EK08 ,  5F045EK22 ,  5F045EK23 ,  5F045EM03