MOS型電界効果トランジスタ集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344981
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176622
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体のMOS型電界効果トランジスタに製造のばらつきを有しても、MOS型電界効果トランジスタを予定の閾値電圧で動作させ、それによってMOS型電界効果トランジスタ集積回路本体に予定の動作を行なわせる。【構成】 MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体のMOS型電界効果トランジスタの半導体基板(バックゲート)に基板バイアス用電圧発生回路からの基板バイアス用電圧を印加させるようにし、そして、この場合、基板バイアス用電圧を、MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体のMOS型電界効果トランジスタと同様の閾値電圧MOS型電界効果トランジスタの測定された閾値電圧と基準電圧との比較出力に応じて、発振回路を発振状態または非発振状態に制御し、その制御された発振回路の発振出力の整流出力で得る。

請求項（抜粋）：

MOS型電界効果トランジスタを用いたMOS型電界効果トランジスタ集積回路本体と、上記MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体の上記MOS型電界効果トランジスタを動作させる動作用電源を発生する動作用電源回路と、上記動作用電源回路で発生する上記動作用電源を上記MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体の上記MOS型電界効果トランジスタに与える動作用電源付与手段と、上記MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体の上記MOS型電界効果トランジスタの閾値電圧を決定する基板バイアス用電圧を発生する基板バイアス用電圧発生回路と、上記基板バイアス用電圧発生回路で発生する上記基板バイアス用電圧を、上記MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体のMOS型電界効果トランジスタの半導体基板に印加する基板バイアス用電圧印加手段とを有するMOS型電界効果トランジスタ集積回路において、上記基板バイアス用電圧発生回路が、(a)上記MOS型電界効果トランジスタ集積回路本体の上記MOS型電界効果トランジスタと同様の特性を有する閾値電圧測定用MOS型電界効果トランジスタを用い、その閾値電圧を測定する閾値電圧測定回路と、(b)基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、(c)上記閾値電圧測定回路からの上記閾値電圧と、上記基準電圧発生回路からの上記基準電圧とを比較し、上記閾値電圧が、上記基準電圧よりも低い場合2値表示で「1」をとり、上記基準電圧よりも高い場合2値表示で「0」をとる発振制御用信号を出力する比較回路と、(d)上記比較回路から出力される発振制御用信号によって、それが、2値表示で「1」をとる場合発振状態に制御され、2値表示で「0」をとる場合非発振状態に制御される発振回路と、(e)上記発振回路の出力を整流し、その整流出力を上記基板バイアス用電圧として出力する整流回路と、(f)上記整流回路から出力される上記基板バイアス用電圧を上記閾値電圧測定用MOS型電界効果トランジスタの半導体基板に印加する他の基板バイアス用電圧印加手段とを有することを特徴とするMOS型電界効果トランジスタ集積回路。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H03K 19/094

FI (5件)：

H01L 27/08 102 A , H01L 27/04 G , H01L 29/78 301 C , H01L 29/78 301 Z , H03K 19/094 D

前のページに戻る