特許
J-GLOBAL ID：200903078937441392
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259106
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 バ-ズビ-クによるくさび酸化膜や空洞のない高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板101に絶縁膜102を形成し、多結晶シリコン103と高融点シリサイド104を積層形成し、この積層膜116を選択的に除去する。更に、この積層膜116側面の二者の界面を少なくとも覆うように耐酸化性膜110を形成する。その後、熱処理する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板主面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に多結晶シリコン膜及び高融点金属シリサイド膜を順次積層形成する工程と、前記積層膜を選択的に除去する工程と、前記積層膜側面に位置する多結晶シリコン膜と高融点金属シリサイド膜との界面を少なくとも耐酸化性膜で覆う工程と、その後、酸化性雰囲気中で熱処理する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/62
, H01L 29/784
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/80 M
