貼り合わせ基板の製造方法および貼り合わせ基板

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-043281
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227415
出願日： 2006年02月21日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】硬度の高い基板を貼り合わせに用いて欠陥密度の小さい貼り合わせ基板とすることができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。【解決手段】貼り合わせ基板の製造方法であって、少なくとも、ヤング率で150GPa以上の硬度を有する第1の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程と、第2の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程と、前記第1の基板および第2の基板を少なくとも前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記第2の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜を外方拡散する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

貼り合わせ基板の製造方法であって、少なくとも、ヤング率で150GPa以上の硬度を有する第1の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程と、第2の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程と、前記第1の基板および第2の基板を少なくとも前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記第2の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜を外方拡散する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/762

FI (2件)：

H01L27/12 B , H01L21/76 D

Fターム (12件)：

5F032AA91 , 5F032CA05 , 5F032CA09 , 5F032DA02 , 5F032DA06 , 5F032DA33 , 5F032DA41 , 5F032DA53 , 5F032DA60 , 5F032DA71 , 5F032DA74 , 5F032DA78

引用特許：

出願人引用 (1件)

SOS基板の形成方法およびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-255268 出願人：旭化成工業株式会社, 石田誠, 吉本護

審査官引用 (6件)

SOIウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-209911 出願人：信越半導体株式会社
極度に粗れた基板上の半導体構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-502141 出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース
結晶化度が改善された歪シリコン層を有する歪シリコンオンインシュレータ(SSOI)構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-525202 出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド

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