特許
J-GLOBAL ID：200903078941958774
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057357
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246281
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 ベース電極下のコレクタ層をエッチング除去することにより外部コレクタ容量を低減する構造のHBTにおいて、従来はベース層を残していたために高い電流増幅率の素子が得られていなかった。【解決手段】 ベース電極32下のコレクタ層25をエッチング除去する際にベース電極32を被覆した有機樹脂34をマスクとしてベース層26の一部もエッチング除去することにより、最大発振周波数、電流増幅率、プロセス制御性などの向上を計る。
請求項（抜粋）：
基板上に順次積層して形成されたコレクタコンタクト層、コレクタ層、前記コレクタ層上にこのコレクタ層側への突出部を有し該突出部で前記コレクタ層に積層形成されたベース層と、前記ベース層に形成されたベース電極と、前記ベース層上にその突出部に対応した部位に積層して形成されたエミッタ層と、前記エミッタ層上に形成されたエミッタコンタクト層とを具備したことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
