特許

J-GLOBAL ID：200903078942422100

位相シフト層を有するフオトマスクの製造方法

発明者： 栗原正彰
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262278
公開番号（公開出願番号）：特開平5-100408
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 位相シフター層の上にレジストを均一に塗布可能にし、レジストパターン形成後にパターン脱落や断面形状異常が発生しないようにする。【構成】 透明層19を形成した基板上にレジスト薄膜21を塗布し、このレジスト薄膜21に電離放射線22でパターン描画露光を行い、パターン描画露光後、レジスト薄膜21を現像してレジストパターン23を形成し、このレジストパターン23をマスクとして露出した透明層19をエッチングし、エッチング終了後、残存したレジストを除去して位相シフトフォトマスクを形成する。この際、透明層19の表面をぬれ性向上のための表面処理20を施した後に、レジスト薄膜21を塗布して密着性を向上させる。

請求項（抜粋）：

位相シフター用透明層を形成した基板上にレジスト薄膜を塗布し、このレジスト薄膜に電離放射線等にてパターン描画露光を行い、パターン描画露光後、レジスト薄膜を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして露出した位相シフター用透明層をエッチングし、エッチング終了後、残存したレジストを除去する位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法において、前記の位相シフター用透明層の表面をぬれ性向上のための表面処理を施した後に、前記レジスト薄膜を塗布することを特徴とする位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-142637
  
• 特開平3-116147
  
• 特開平2-106747
  
• 特開昭62-250645