特許

J-GLOBAL ID：200903078943315331

化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： 石川 清 ,  勝間田 泰彦
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234290
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056558
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 未露光部残膜率の大きいレジストパターンを形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】 (A)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)(b-1)ヒドロキシ(α-メチル)スチレンから誘導される単位及び(b-2)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される単位を含む共重合体を(C)有機溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物において、(C)成分が、例えば乳酸エチルからなる主溶剤と、γ-ブチロラクトンからなる補助溶剤との混合物である化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)(b-1)ヒドロキシ(α-メチル)スチレンから誘導される単位及び(b-2)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される単位を含む共重合体を(C)有機溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物において、(C)成分が、(c-1)2-ヘプタノン、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート及び乳酸低級アルキルエステルから選ばれる少なくとも一つの主溶剤と、(c-2)リソグラフィー工程における130°C以上160°C以下の範囲の露光前加熱処理後かつ後続の100°C以上140°C以下の露光後加熱処理後に、基板上に形成されたレジスト膜中に残存可能な補助溶剤との混合物からなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (19件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08