特許
J-GLOBAL ID：200903078945061795
メモリ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325269
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177322
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 記憶容量を増大できるメモリ素子を提供すること。【構成】 表面に回路パターンが形成された第1のチップ2と第2のチップ3の裏面同士を貼り合わせて一体化してメモリ素子1とした。また第1のチップ2の表面の周縁部に基板7の電極8にワイヤ9で接続されるパッド5を形成し、第2のチップ3の表面に基板7の電極8を共通電極としてこの電極8にボンディングされるバンプ6を突設した。【効果】 第1のチップ2と第2のチップ3を選択的に駆動することにより、記憶容量を実質的に倍増できる。
請求項（抜粋）：
表面に回路パターンが形成された第1のチップと第2のチップの裏面同士を貼り合わせて一体化したことを特徴とするメモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
