特許
J-GLOBAL ID:200903078950586960

レジストパターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-242081
公開番号(公開出願番号):特開平5-080533
出願日: 1991年09月20日
公開日(公表日): 1993年04月02日
要約:
【要約】【目的】 化学増幅型レジストに関し、遠紫外線を光源として庇状の突出部がない垂直な断面の形成が可能なレジストを提供することを目的とする。【構成】 被処理基板上に酸触媒により極性が変化する官能基をもつ第1のポリマーと光酸発生剤とからなる化学増幅型レジストを塗布し、プリベークした後、更に、このレジスト上に光酸発生剤を含みスチレン系ポリマまたはアクリレート系ポリマーよりなる第2のポリマーを塗布し、プレベークを行った後、選択露光を行い、ポストベークを行った後にアルカリ現像することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。
請求項(抜粋):
被処理基板上に酸触媒により極性が変化する官能基をもつ第1のポリマーと光酸発生剤とからなる化学増幅型レジストを塗布し、プリベークした後、更に該レジスト上に光酸発生剤を含む第2のポリマーを塗布し、プリベークした後、選択露光を行い、ポストベークを行った後にアルカリ現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件):
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027
FI (3件):
H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 Q ,  H01L 21/30 361 G
引用特許:
審査官引用 (2件)

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