半導体基板の研磨方法とこれを用いた半導体基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤隆久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005818
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216093
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】段差を有する酸化膜を直接研磨することにより、張り合わせなどの半導体基板の製造工程を簡略化する。【構成】活性層基板Aの少なくとも片面に段差を有する酸化シリコン膜3を形成し、該酸化シリコン膜3を、酸化セリウムを主成分とする研磨剤を用いて剛体定盤により研磨する。これにより得られた接合面3aに支持基板Bを張り合わせ,SOI構造のウェーハを得る。接合用に形成されていた酸化シリコン膜上のポリシリコン層を省略することができる。

請求項（抜粋）：