半導体光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104480
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】モノリシックレンズ付きの半導体光素子の製造方法において、工数を減らし、歩留りを上げる。【構成】レンズ部の周囲をレンズ頂点より高くすることを特徴とし、レンズ周囲に2層レジストあるいは酸化膜や窒化膜マスクを付け、ドライエッチングによりレンズを形成する。これにより、精密な高さ調整を行うことができ、更にレンズ部の傷を防ぎ、かつ外観不良等をなくす。

請求項（抜粋）：

p+ 領域を拡散によって作成する拡散工程と、メサ形状に選択エッチングを行うエッチング工程と、パッシベーション膜を成膜する成膜工程と、p型およびn型のオーミック電極とアロイを行う工程と、金バンプを形成する工程と、半導体基板を薄くする研磨工程と、裏面にレンズを形成するエッチング工程と、反射防止膜を形成する成膜工程とを含む半導体光素子の製造方法において、前記レンズを形成するときに、ドライエッチング技術によりレンズの周りにレンズの頂点より高いメサ部分を形成することを特徴とする半導体光素子の製造方法。

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