特許

J-GLOBAL ID：200903078963076180

光電融合デバイス

発明者： 内田 護
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-201170
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022285
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】電子デバイス、光デバイスおよび光学デバイスを相乗効果が出る様に有機的に集積化した光電融合デバイスである。【解決手段】光電融合デバイスは、電子デバイスの形成された電子デバイス基板12、光デバイスの形成された光デバイス基板11、光学デバイスの形成された光学デバイス基板13が近接して積層されて成る。光学デバイス基板13は、光デバイスの扱う光を吸収しない熱伝導率の良い半導体材料から成る。これらの基板間が電気配線あるいは光配線によって電気的あるいは光学的に接続されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも電子デバイスの形成された熱伝導率の良い半導体材料から成る電子デバイス基板、光デバイスの形成された化合物半導体から成る光デバイス基板、少なくとも光学デバイスの形成された該光デバイスの扱う光を吸収しない熱伝導率の良い半導体材料から成る光学デバイス基板が近接して積層されて成る光電融合デバイスであって、これら基板の少なくとも2つの間が電気配線あるいは光配線によって電気的あるいは光学的に相互に接続されていることを特徴とする光電融合デバイス。

IPC (4件)：

H01S 5/30 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/15

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/15 H

Fターム (14件)：

5F073AA65 ,  5F073AB02 ,  5F073AB11 ,  5F073AB14 ,  5F073AB17 ,  5F073AB26 ,  5F073BA03 ,  5F073BA08 ,  5F073CA12 ,  5F073CB04 ,  5F073CB11 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA29