特許

J-GLOBAL ID：200903078965009420

低温焼成セラミツク多層配線基板

発明者： 大原 実 ,  浅井 道生
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-123144
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063367
出願日： 1991年04月26日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 金ボンディングパッド部のピッチおよびサイズを最小にすることができ、高密度化を達成することができる低温焼成セラミック多層配線基板を得る。【構成】 セラミック多層配線基板の表面に少なくとも金ボンディングパッド部6を有する低温焼成セラミック多層配線基板において、前記金ボンディングパッド部6の直下に金を導体材料としたビアホール7を設ける。

請求項（抜粋）：

基板表面に少なくとも金ボンディングパッド部を有する低温焼成セラミック多層配線基板において、前記金ボンディングパッド部の直下に金を導体材料としたビアホールを有することを特徴とする低温焼成セラミック多層配線基板。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/34

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭51-127112
  
• 特開平1-287992