特許
J-GLOBAL ID：200903078965135388
半導体基板の製造方法並びに被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139198
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162511
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】微細なパターンを高い分解能で検出する欠陥検査方法、その装置及び半導体基板を高歩留まりで製造する方法を提供する。【構成】Xeランプ3、楕円鏡4、マスク5とからなる輪帯状の照明を形成するランプハウス24は、輪帯状の照明光を、XYZステージ2上に載置された微細パターンを形成したウエハ(被検査対象物)1を、コリメータレンズ6、光量調整用フイルタ14及びコンデンサレンズ7を介して、円又は楕円偏光変換素子により円又は楕円偏光させて、対物レンズ9を介して照明し、その反射光をハーフミラー8a、8b、ズームレンズ13を介し、反射光の画像をイメージセンサ12aにより検出する。ステージXYZを移動させ、センサ12aにより走査し画像信号を得る。この画像出力をA/D変換器15aにより変換して基準画像と比較して不一致を欠陥として検出するものである。
請求項（抜粋）：
各種のプロセス装置によって構成された製造ラインによりパターンを有する半導体基板を製造する半導体基板の製造方法において、予め前記半導体基板上に発生するパターンの欠陥情報と前記製造ラインにおけるパターンの欠陥を発生させる欠陥発生原因または欠陥発生要因との因果関係を示す履歴データまたはデータベースを蓄積して因果関係を示す履歴データまたはデータベースを構築する履歴データまたはデータベース構築工程と、前記製造ラインの所望箇所に至った前記半導体基板に対して、多数の仮想の点光源から形成された輪帯状の拡散照明光を対物レンズの瞳を通して集光して照射し、前記半導体基板上のパターンから反射して前記対物レンズの瞳内に入射する0次回折光を含む1次または2次の回折光を集光して得られる被検査対象物上のパターンの画像をイメージセンサにより受光してパターンの画像信号に変換し、このパターンの画像信号を基準のパターンの画像信号と比較してパターンの欠陥情報を検出する欠陥検査工程と、この欠陥検査工程により検出されたパターンの欠陥情報と前記履歴データまたはデータベース構築工程で構築された因果関係を示す履歴データまたはデータベースとに基づいて前記製造ラインの所望箇所より上流の製造ラインにおいてパターンの欠陥を発生させる欠陥発生原因または欠陥発生要因を解析する欠陥発生解析工程と、この欠陥発生解析工程によって解析された欠陥発生原因または欠陥発生要因を取り除くように前記上流の製造ラインにおけるプロセス条件を制御するプロセス条件制御工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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