特許

J-GLOBAL ID：200903078971302229

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 太田 昌栄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335301
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 酸化膜を形成する熱処理炉内で高温水素処理と酸化膜の形成処理を連続して行い、シリコンウエハ上に付着する極微細なパーティクル及び自然酸化膜を除去する。【構成】 シリコンウエハ上に形成されるシリコン酸化膜の形成方法において、前記シリコンウエハを炉内へ低温下で、窒素雰囲気で挿入し、該窒素を水素に置換し、炉温を高めて高温水素処理を行い、前記水素を不活性ガスで置換し、その後、大気に晒すことなく前記炉内において連続して酸化処理を行う。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハ上に形成されるシリコン酸化膜の形成方法において、(a)前記シリコンウエハを炉内へ低温下で、窒素雰囲気で挿入し、(b)該窒素を水素に置換し、炉温を高めて高温水素処理を行い、(c)前記水素を不活性ガスで置換し、(d)その後、大気に晒すことなく前記炉内において連続して酸化処理を行うことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。