特許

J-GLOBAL ID：200903078976078238

半導体基材の作製方法

発明者： 山方 憲二 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292258
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102445
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 薄膜が割れたり、剥がれたり、また基体が大きく反ったりすることがないSOI基体を形成する。【構成】 多孔質化シリコン単結晶基体101の一表面上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長する工程と、エピタキシャル層102の表面を任意の支持基体110と接着剤103を介して貼り合わせる工程と、多孔質化シリコン単結晶基体101を選択的にエッチングする工程と、エピタキシャル層102を透明絶縁性基体111と貼り合わせる工程と、接着剤103を除去することにより支持基体110とエピタキシャル層102とを分離する工程と、透明絶縁性基体111と密着したエピタキシャル層102に熱処理を施す工程とを有する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基体の全体を陽極化成により多孔質化する工程と、多孔質化したシリコン単結晶基体の一表面上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長する工程と、該エピタキシャル層の表面を任意の支持基体と接着剤を介して貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン単結晶基体を選択的にエッチングする工程と、前記エピタキシャル層をSiO2 を主成分とする透明絶縁性基体と貼り合わせる工程と、前記接着剤を除去することにより前記支持基体と前記エピタキシャル層とを分離する工程と、前記透明絶縁性基体と密着した前記エピタキシャル層に熱処理を施す工程とを有する半導体基材の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02