特許

J-GLOBAL ID：200903078977814086

水素化ポリスチレン系重合体からなるディスク基板の製造方法

発明者： 城戸 伸明 ,  鈴木 和富 ,  松村 俊一
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293746
公開番号（公開出願番号）：特開2003-099990
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 低吸水率で複屈折などの光学特性に優れるポリスチレン系重合体からなるディスク基板の製造方法を提供する。【解決手段】 スチレン系重合体単位が水素添加された重合体単位の含有率が80重量%以上からなる水素化スチレン系重合体を射出成形して得られる半径方向と円周方向の線膨張係数の差が10%より大きいディスク基板を、30°C以上、該水素化スチレン系重合体の1Hzでの動的粘弾性測定におけるtanδが0.06を超えない温度以下で熱処理することを特徴とするディスク基板の製造方法など。

請求項（抜粋）：

スチレン系重合体単位が水素添加された重合体単位の含有率が80重量%以上からなる水素化スチレン系重合体を射出成形して得られる半径方向と円周方向の線膨張係数の差が10%より大きいディスク基板を、30°C以上、該水素化スチレン系重合体の1Hzでの動的粘弾性測定におけるtanδが0.08を超えない温度以下で熱処理することを特徴とするディスク基板の製造方法。

IPC (6件)：

G11B 7/26 521 ,  C08J 7/00 301 ,  C08J 7/00 CET ,  G11B 7/24 526 ,  G11B 7/24 531 ,  C08L 25:04

FI (6件)：

G11B 7/26 521 ,  C08J 7/00 301 ,  C08J 7/00 CET ,  G11B 7/24 526 M ,  G11B 7/24 531 Z ,  C08L 25:04

Fターム (12件)：

4F073AA29 ,  4F073BA19 ,  4F073BB02 ,  4F073GA01 ,  4F073HA14 ,  5D029KA12 ,  5D029KB14 ,  5D029KC14 ,  5D121AA02 ,  5D121DD05 ,  5D121DD13 ,  5D121GG07