特許

J-GLOBAL ID：200903078985778803

III-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ

発明者： 高野 和人 ,  土屋 忠厳
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279528
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102568
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 電気的特性を向上させたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 InGaAsからなるチャネル層30のヘテロ界面付近でのIn組成が、InGaPからなる電子供給層4の組成と同じ組成であり、チャネル層30内のIn組成が連続的に変化しているので、In原子の拡散が抑止され優れた界面急峻性が得られる。このようなIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを用いることにより、高電子移動度のHEMTが得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に、チャネル層と、該チャネル層よりも電子親和力の小さい電子供給層とが形成されたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記基板がGaAsからなり、上記チャネル層がInGaAsからなり、上記電子供給層がInGaPからなり、上記チャネル層の界面付近の一部の層の膜厚が臨界膜厚以下であり、かつInGaPと同じIn組成であることを特徴とするIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (7件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/20

FI (5件)：

C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/80 H

Fターム (39件)：

4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB05 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA58 ,  5F045DA66 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL00 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL16 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01