特許
J-GLOBAL ID：200903078986530198
半導体レーザー
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309904
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121833
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 非点隔差が小さく、しかも動作電流が小さい半導体レーザーを実現する。【構成】 内部ストライプ構造を有する半導体レーザーにおいて、電流狭窄層6のストライプ状の開口6aを逆メサ形状とすることにより、発光部の近傍の部分のp型クラッド層5、7、9中に光導波層8を埋設し、純粋な屈折率導波型レーザーとする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層とを具備する半導体レーザーにおいて、上記第1のクラッド層及び上記第2のクラッド層のうちの少なくとも一方における発光部の近傍の部分に光導波層が埋設されていることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
前のページに戻る
