特許
J-GLOBAL ID：200903078990467778
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122268
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335590
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ダイシングライン領域開口部の上層のPSG膜と下層のPSG膜側部に形成した耐湿性リングを高圧純水で洗浄しても、剥れ難くすることができる。【構成】 基板1の素子領域及びダイシングライン領域上に第1の絶縁膜2を形成し、第1の絶縁膜2上に金属膜3を形成し、ダイシングライン領域の金属膜3をエッチングした後、金属膜3及び第1の絶縁膜2を覆うように第2の絶縁膜4を形成し、第2の絶縁膜4上にスピンオングラス膜を形成し、スピンオングラス膜をエッチバックして、ダイシングライン領域の第2の絶縁膜4上のスピンオングラス膜を除去した後、第2の絶縁膜4上に第3の絶縁膜5を形成し、スクライブライン領域の第3の絶縁膜5、第2の絶縁膜4及び第1の絶縁膜2をエッチングして基板1が露出された開口部6を形成し、開口部6内の該第3の絶縁膜5、第2の絶縁膜4及び第1の絶縁膜2側部に耐湿性リング7を形成する。
請求項（抜粋）：
基板(1)の素子領域及びダイシングライン領域上に第1の絶縁膜(2)を形成する工程と、次いで、該第1の絶縁膜(2)上に金属膜(3)を形成する工程と、次いで、ダイシングライン領域の該金属膜(3)をエッチングする工程と、次いで、該金属膜(3)及び該第1の絶縁膜(2)を覆うように第2の絶縁膜(4)を形成する工程と、次いで、該第2の絶縁膜(4)上にスピンオングラス膜を形成する工程と、次いで、該スピンオングラス膜をエッチバックして、ダイシングライン領域の該第2の絶縁膜(4)上の該スピンオングラス膜を除去する工程と、次いで、該第2の絶縁膜(4)上に該第3の絶縁膜(5)を形成する工程と、次いで、スクライブライン領域の該第3の絶縁膜(5)、該第2の絶縁膜(4)及び該第1の絶縁膜(2)をエッチングして該基板(1)が露出された開口部(6)を形成する工程と、次いで、該開口部(6)内の該第3の絶縁膜(5)、該第2の絶縁膜(4)及び該第1の絶縁膜(2)側部に耐湿性リング(7)を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304 341
