特許

J-GLOBAL ID：200903078991290979

薄膜電場発光素子の製造方法

発明者： 仲俣 伸一 ,  河島 朋之 ,  田村 幸久 ,  丸田 幸寛 ,  辻 崇
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137070
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330069
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】硫黄原子欠陥を防止して発光輝度特性と寿命特性の良好な薄膜電場発光素子を得る。【構成】絶縁基板1上に第一の電極、第一の絶縁層、アルカリ土類金属硫化物からなる発光層、第二の絶縁層、第二の電極を積層した薄膜電場発光素子を製造する際に、硫化亜鉛あるいは硫化カドミウムの少なくとも一つを加熱分解蒸発した雰囲気中で、加熱された絶縁基板1上にアルカリ土類金属硫化物を蒸着して発光層を成膜する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に第一の電極、第一の絶縁層、アルカリ土類金属硫化物からなる発光層、第二の絶縁層、第二の電極を積層した薄膜電場発光素子の製造方法において、硫化亜鉛あるいは硫化カドミウムの少なくとも一つを加熱分解蒸発した雰囲気中で、加熱された絶縁基板上にアルカリ土類金属硫化物を蒸着することを特徴とする薄膜電場発光素子の製造方法。