特許

J-GLOBAL ID：200903078993601670

シリコンウェハーの等温研磨処理の促進方法

発明者： モヘンドラ エス.バワ ,  ビッキ スー シンプソン ,  マイケル エィチ.グリムス ,  フランクリン ルイス アレン ,  ケネス ジョン ラングロワ ,  パーマー アーサー ミラー ,  ゲイリー リー エザーリッジ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351716
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199841
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 コストおよび環境への影響を抑えた改善されたシリコンウェハーの等温研磨処理方法が求められている。【解決手段】 化学的・機械的研磨処理中に研磨スラリの温度を制御する方法である。化学的・機械的研磨装置(10)内で研磨スラリ(28)を循環させ、研磨スラリの温度を監視し、研磨スラリの温度を調節するために研磨スラリの再循環の間にスラリを温度制御エレメント(36)に通過させ、研磨スラリの温度を予め定めた範囲に維持し、以って、研磨スラリの温度の制御を達成する。

請求項（抜粋）：

化学的・機械的にウェハを研磨する装置内で研磨スラリを循環させるステップと、研磨スラリ温度を監視するステップと、研磨スラリ温度を調節するために、スラリを温度制御エレメントに通過させるステップと、研磨スラリ温度を予め定めた範囲に維持し、以って、研磨スラリ温度を制御するステップとからなる、化学的・機械的にウェハを研磨する間に研磨スラリ温度を維持する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 55/03

FI (5件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 321 Z ,  B24B 37/00 Z ,  B24B 55/03