特許

J-GLOBAL ID：200903078994273447

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 杉山 光弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330723
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148430
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 電荷の注入及び引き抜きの特性を損なうことなく、電荷保持特性の改善を図ることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1表面に素子分離領域2が形成されている。素子分離領域2で区画された領域にN+拡散層7が適長間隔をおいて素子分離領域2に隣接して形成されている。N+拡散層7の間がチャネル領域となる。半導体基板1上にはN+拡散層7の間にトンネル酸化膜3が形成されている。トンネル酸化膜3上に浮遊ゲート4、ゲート間絶縁膜5及び制御ゲート6が順次積層されている。ゲート部10がトンネル酸化膜3、浮遊ゲート4、ゲート間絶縁膜5及び制御ゲート6からなる。トンネル酸化膜3は、中央部に膜厚が厚い凸部3bが形成され、その両端部に膜厚が薄い薄部3aが形成されている。両側の膜厚が薄い薄部3aでデータの書込及び消去をする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に相互に適長間隔をおいて形成された1対の拡散層領域と、前記拡散層領域の間の前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された制御ゲートとを有し、前記第1の絶縁膜はその少なくとも一方の端部が前記拡散層領域の上に延出し、前記第1の絶縁膜はその拡散層領域上の部分の膜厚よりも他の部分の膜厚の方が厚いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (36件)：

5F001AA09 ,  5F001AA25 ,  5F001AA61 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AD52 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP43 ,  5F083EP45 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083ER13 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083ER22 ,  5F083GA11 ,  5F083PR12 ,  5F083PR36 ,  5F101BA07 ,  5F101BA24 ,  5F101BA34 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD33 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09