レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055070
出願日： 1990年03月30日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】パターニング特性へのパターニング時の水分環境の影響を少なくする。レジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】下記?@式で示されるポリ(ヒドロキシスチレン)誘導体と、光照射により酸を発生する酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物を用意する。この組成物の膜を下地上に形成する。該膜に選択的に露光をした後に、該膜に熱処理をする。その後、現像液により現像する。(但し、R1、R2及びR3は、水素、アルキル基又はアリーる基であり、同一であっても異なっていても良い。また、XはO(酸素)又はS(イオウ)である。また、nは正の整数である。)

請求項（抜粋）：

酸により脱離するアセタール基によって水酸基が保護されているポリ(ヒドロキシスチレン)誘導体と、光照射により酸を発生する酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物の膜を、下地上に形成する工程と、該膜に目的のパターンに応じた選択的な露光をする工程と、該露光の済んだ膜に熱処理をする工程と、該熱処理の済んだ膜を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 503 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-019847
特開平2-025850
特開平2-161436

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