特許
J-GLOBAL ID：200903078997165475
気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117060
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315297
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 気相成長装置のクリーニング方法に関し、効率よく且つ効果的に気相成長装置をクリーニングすることで生産性の向上を図ることを目的とする。【構成】 チャンバ内の所定位置にセッティングされている回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成長装置のクリーニング方法であって、チャンバ31に導入されたハロゲン系エッチングガスをプラズマ化してその内部をクリーニングした後、活性化された水素ガスを該チャンバ31に導入してチャンバ内壁31c に吸着した上記ハロゲン系エッチングガスを除去して構成する。
請求項（抜粋）：
チャンバ内の所定位置にセッティングされている回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成長装置のクリーニング方法であって、チャンバ(31)に導入されたハロゲン系エッチングガスをプラズマ化してその内部をクリーニングした後、活性化された水素ガスを該チャンバ(31)に導入してチャンバ内壁(31c) に吸着した上記ハロゲン系エッチングガスを除去することを特徴とした気相成長装置のクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
