特許

J-GLOBAL ID：200903078997814180

薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子

発明者： 木戸 房吉 ,  松田 直寿
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134507
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008063
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 近赤外の発光強度を低く抑えることにより青色の発光効率を向上した高輝度の薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【構成】 ツリウムを青色発光中心とする発光層の片面もしくは両面に誘電体層を有する薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、常温で波長460±10nmのピークおよび波長800±10nmのピークのスペクトルを有し、かつ前記波長460±10nmのピーク強度(IB )と波長800±10nmのピーク強度(IIR)とのピーク強度比(IB /IIR)が1.0以上であるエレクトロルミネッセンスが発生することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ツリウムを青色発光中心とする発光層の片面もしくは両面に誘電体層を有する薄膜型エレクトロルミネッセンス素子において、常温で波長460±10nmのピークおよび波長800±10nmのピークのスペクトルを有し、かつ前記波長460±10nmのピーク強度(IB )と波長800±10nmのピーク強度(IIR)とのピーク強度比(IB /IIR)が1.0以上であるエレクトロルミネッセンスが発生することを特徴とする薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (3件)：

H05B 33/14 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/22