特許
J-GLOBAL ID：200903078998902252
半導体基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270901
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097140
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板を、その表面に酸化膜が付着しないようにして熱処理する。【構成】 本発明の半導体基板処理方法は、半導体基板4を、150°C以下の温度とした熱処理室2へ搬入するステップと、その熱処理室2を200°C前後の温度に昇温して、前記半導体基板4に付着している水分を放出させるステップと、前記熱処理室2内にエッチングガスを導入して、前記半導体基板4表面の酸化膜のエッチングを行うステップと、前記熱処理室2の温度を熱処理温度まで昇温して、前記半導体基板4を熱処理するステップと、を備えるものとして構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板を、150°C以下の温度とした熱処理室へ搬入するステップと、その熱処理室を200°C前後の温度に昇温して、前記半導体基板に付着している水分を放出させるステップと、前記熱処理室内にエッチングガスを導入して、前記半導体基板表面の酸化膜のエッチングを行うステップと、前記熱処理室の温度を熱処理温度まで昇温して、前記半導体基板を熱処理するステップと、を備える半導体基板の熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
, H01L 21/31
