特許
J-GLOBAL ID：200903079000842940
固体撮像素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108896
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291857
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 感度向上を目的として受光部3に反射防止膜12を設けているCCD固体撮像素子において、出力部30を構成するMOSトランジスタのソース32及びドレイン33を形成する不純物イオン打ち込みの際マスクとして用いたフォトレジスト膜40を除去するアッシングによる受光部3へのダメーや、受光部3下への異物の侵入を抑え、白点の発生を防止する。【解決手段】表面を全面的に覆うシリコン酸化膜7-1、転送電極8及びそれを被覆するシリコン酸化膜7-2が形成された半導体基板1上に反射防止膜12を形成する工程の方を、イオン注入により、出力部30を構成する出力トランジスタのソース32及びドレイン33を形成する工程よりも先に行う。尚、反射防止材膜12aの全面形成より後、その選択的エッチングによる反射防止膜12の形成前にそのイオン注入を行うようにしても良い。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面部に複数の光電変換部を少なくとも配設した撮像領域と、複数のMOSトランジスタからなり上記光電変換部にて入射光から光電変換された信号電荷を電圧に変換する出力部を少なくとも有し、上記各光電変換部上の受光部を覆う反射防止膜を備えた固体撮像素子の製造方法において、上記反射防止膜を形成するための、反射防止材膜の全面的形成工程、又は、該全面的形成工程より後の該反射防止材膜に対する選択的エッチング工程を、選択的に形成したレジスト膜をマスクとする不純物のイオン注入により上記MOSトランジスタのソース、ドレインを形成する工程よりも先に行うことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Fターム (14件)：
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA03
, 4M118CA34
, 4M118CB13
, 4M118CB14
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118GB11
, 4M118GC07
, 4M118GD04
