特許

J-GLOBAL ID：200903079000885836

半導体発光装置の製造方法

発明者： 尾藤 喜文 ,  渡辺 暁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 根本 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-155447
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082834
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【構成】 シリコン基板1の一方の主面1aに形成された酸化シリコン膜2aの一部を除去し、これにより一方の主面1aに形成された酸化シリコン膜を絶縁マスクとする。この絶縁マスクにより選択されたシリコン基板部分にバッファ層を主構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させると共に、そのバッファ層内に歪超格子層を形成する。その歪超格子層の歪の大きさを成長方向に沿って異なるものとし、その歪が最も大きくなる部分を結晶成長方向上端よりも下方に配置する。そのバッファ層の上にLEDを構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させる。【効果】 シリコンと半導体結晶との熱膨張係数の相違によるエピタキシャル層3におけるクラック発生を防止できる。LEDを構成する半導体層の結晶欠陥を低減し、LEDの発光特性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一方の主面に形成された酸化シリコン膜の一部を除去し、これにより酸化シリコン膜を絶縁マスクとし、この絶縁マスクにより選択されたシリコン基板部分にバッファ層を主構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させると共に、そのバッファ層内に歪超格子層を形成し、その歪超格子層の歪の大きさを成長方向に沿って異なるものとし、その歪が最も大きくなる部分を結晶成長方向上端よりも下方に配置し、そのバッファ層の上に、LEDを構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。