半導体圧力センサ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016381
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214022
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】低コストで高感度な半導体圧力センサを提供する。【解決手段】単結晶シリコン(110)基板1のダイアフラム部2の主表面側に、4つのピエゾ抵抗R1,R2,R3,R4が形成された半導体センサチップ10を備えている。ピエゾ抵抗R1〜R4はブリッジ接続される。各ピエゾ抵抗R1〜R4がそれぞれダイアフラム部2の変形を検出する感圧素子を構成する。4つのピエゾ抵抗R1〜R4のうちダイアフラム部2近傍に配設されるピエゾ抵抗R2,R4は、図1(c)に示す応力分布のピークに対応した部位に配設されている。

請求項（抜粋）：

厚み方向の主表面側ほど開口面積が小さくなる凹所が裏面側に設けられることによって上記主表面側の中央部に薄肉のダイアフラム部が形成された半導体基板と、該半導体基板の主表面側でダイアフラム部の端部近傍に配設されダイアフラム部の変形を検出する感圧素子とを備え、上記感圧素子は、ダイアフラム部の厚みに応じてダイアフラム部の端部からの距離が設定された所定部位に配設されてなることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

Fターム (14件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE13 , 2F055FF11 , 2F055GG16 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA05 , 4M112CA09 , 4M112DA02 , 4M112EA03 , 4M112FA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭59-186376
半導体圧力計
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004069 出願人：横河電機株式会社
特開昭59-186376

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