特許
J-GLOBAL ID：200903079007704365
位相シフトマスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-013890
公開番号（公開出願番号）：特開2009-104174
出願日： 2009年01月26日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】所定の位相角及び透過率を有し、耐薬品性、耐光性、及び内部応力などの膜特性に優れた光半透過膜又は光半透過部を有する位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法であって、透明基板上に、70〜95mol%のシリコンと、金属とを含んだターゲットを窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンとを含み、圧縮応力を有する光半透過膜を形成した後、光半透過膜を、該光半透過膜上に形成されるレジスト膜のベーク温度よりも高い温度で熱処理して、光半透過膜の内部応力を低減する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方
法であって、
前記透明基板上に、70〜95mol%のシリコンと、金属とを含んだターゲットを窒
素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンとを含み、
圧縮応力を有する光半透過膜を形成した後、
前記光半透過膜を、該光半透過膜上に形成されるレジスト膜のベーク温度よりも高い温
度で熱処理して、前記光半透過膜の内部応力を低減することを特徴とするハーフトーン型
位相シフトマスクブランクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/14
, G03F 1/08
, H01L 21/027
G03F1/14 A
, G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BB03
, 2H095BC26
, 2H095BC27
, 2H095BC28
